引線鍵合是芯片和外部封裝體之間互連最常見和有效的連接工藝。

我們來講講鍵合工藝中會遇到的問題：

一．鍵合工藝差錯造成的失效

1.焊盤出坑

出坑通常出現于超聲波鍵合中,是指對焊盤金屬化層下面半導體材料層的損傷。這種損傷有時是肉眼可見的凹痕,更多是不可見的材料結構損傷。這種損傷將降低器件性能并

引發電損傷。其產生原因如下:

(1)超聲波能量過高導致Si 晶格層錯;

(2)楔鍵合時鍵合力過高或過低:

(3)鍵合工具對基板的沖擊速度過大,一般不會導致Si器件出坑,但會導致(3)GaAs 器件出坑;

(4)球鍵合時焊球太小致使堅硬的鍵合工具接觸到了焊盤金屬化層;

(5)焊盤厚度太薄。1~3m厚的焊盤損傷比較小,但0.6μm以下厚度的焊盤可能存在問題；

(6)焊盤金屬和引線金屬的硬度匹配時鍵合質量好,也可以最小化出坑現象;

(7)A1絲超聲波鍵合時金屬絲太硬可能導致Si片出坑。

2.尾絲不一致

這是楔鍵合時最容易發生的問題,而且也是最難克服的。可能的產生原因如下:

(1)引線表面骯臟;

(2)金屬絲傳送角度不對;

(3)楔通孔中部分堵塞;

(4)用于夾斷引線的工具骯臟;

(5)夾具間隙不正確;

(6)夾具所施加的壓力不對;

(7)金屬絲拉伸錯誤。

尾絲太短意味著作用在第1個鍵合點上的力分布在一個很小的面積上,這將導致過量變形。而尾絲太長可能導致焊盤間短路。

3.鍵合剝離

剝離是指拉脫時鍵合點跟部部分或脫離鍵合表面,斷口光滑。剝離主要是由工藝參數選擇錯誤或鍵合工具質量下降引起。它是鍵合相關失效的一個很好的早期信號。

4.引線彎曲疲勞

這種失效的起因在于引線鍵合點跟部出現裂紋。原因可能是鍵合操作中機械疲勞,也可能是溫度循環導致熱應力疲勞。已有的試驗結果表明:

(1)溫度循環條件下,A1絲超聲波鍵合比A1 絲熱壓鍵合更為可靠;

(2)含0.1%Mg的AI絲要好于含1%Si的AI絲;(3)引線閉環的高度至少應該是鍵合點間距的25%以減輕彎曲。

5.鍵合點和焊盤腐蝕

腐蝕可導致引線一端或兩端完斷開,從而使引線在封裝內自由活動并造成短路。潮濕和污物是造成腐蝕的主要原因。例如,鍵合位置上存在C1或Br將導致形成氯化物或溴化物,腐蝕鍵合點。腐蝕將導致鍵合點電阻增加直至器件失效。絕大多數情況下,封裝材料在芯片表面和相鄰鍵合點施加了一個壓力,只有腐蝕非常嚴重才會出現電連接問題。

6.引線框架腐蝕

起因是殘余應力過大,或者在為防止引線框架基體金屬(42合金或Cu)腐蝕而進行的表面鍍層(如Ni)工藝中引入了過多的表面污染。最敏感的區域是密封化合物材料與引線框架的界面處。

7.金屬遷移

是指從鍵合焊盤處開始的金屬枝晶生長。這是一個金屬離子從陽極區向陰極區遷移的電解過程,與金屬的可獲得性、離子種類、電勢差等相關。金屬遷移將導致橋連區的泄露電流增加,如果橋連形成則造成短路。最為廣泛報道的是Ag遷移。其它金屬,如 Pb、Sn、Ni、Au和Cu也存在遷移現象。因為與失效相關,這是一種逐漸失效現象。

8.振動疲勞

可能產生諧振并因此損傷鍵合點的最小頻率，對于Au絲為3~5kHz,A1絲為10kHz。一般而言,引線鍵合的振動疲勞失效發生于超聲波清洗過程,因此超聲波清洗設備的諧振頻率應在20~100kHz以內。

1. 內引線斷裂和脫鍵

   內引線斷裂的方式一般分為三類:引線中間斷裂;引線在近鍵合點的根部裂;脫鍵。

   (1)引線中間斷裂

   引線中間斷裂不一定在早期失效中出現，因為它和內引線存在損傷的程度和由損傷誘發的機理有關。鍵合絲的損傷使引線損傷部位面積變小，將導致:電流密度加大，使損傷部位易被燒毀;抗機械應力的能力降低，會造成內引線損傷處斷裂。產生損傷的原因:一是鍵合絲受到機械損傷，二是鍵合絲受到了化學腐蝕的侵蝕

2. 鍵合絲在近鍵合點的根部斷裂

   這種現象的發生主要是由工藝所引入的。存在Thallium(Tl)污染源,T1可以與Au形成低熔點的共晶相并從鍍Au的引線框架傳輸到Au絲中。鍵合點形成過程中,Tl可以快速擴散并在球頸以上的品界處富集形成共品相。在塑性密封或溫度循環時,球頸斷裂,器件失效。

   (3)鍵合點脫鍵隱患

   自動引線鍵合技術中，半導體器件鍵合點脫落是最常見的失效模式。這種失效模式用常規篩選和測試很難剔除，只有在強烈振動下才可能暴露出來，因此對半導體器件的可靠性危害極大。可能影響內引線鍵合可靠性的因素主要有:

   <1>界面上絕緣層的形成在芯片上鍵合區光刻膠或窗口鈍化膜未去除干凈，可形成絕緣層。管殼鍍金層質量低劣，會造成表面疏松、發紅、鼓泡、起皮等。金屬間鍵合接觸時，在有氧、氯、硫、水汽的環境下，金屬往往與這些氣體反應生成氧化物、硫化物等絕緣夾層，或受氯的腐蝕，導致接觸電阻增加,從而使鍵合可靠性降低。

   <2>金屬化層缺陷，金屬化層缺陷主要有:芯片金屬化層過薄，使得鍵合時無緩沖作用，芯片金屬化層出現合金點，在鍵合處形成缺陷;芯片金屬化層粘附不牢，最易掉壓點。

   <3>表面沾污，原子不能互擴散包括芯片、管殼、劈刀、金絲、鑷子、鎢針，各個環節均可能造成沾污。外界環境凈化度不夠，可造成灰塵沾污;人體凈化不良，可造成有機物沾污及鈉沾污等:芯片、管殼等未及時處理干凈，殘留鍍金液，可造成鉀沾污及碳沾污等，這種沾污屬于批次性問題，可造成一批管殼報廢，或引起鍵合點腐蝕，造成失效;金絲、管殼存放過久，不但易沾污，而且易老化，金絲硬度和延展率也會發生變化。

   <4>材料間的接觸應力不當，鍵合應力包括熱應力、機械應力和超聲應力。鍵合應力過小會造成鍵合不牢，但鍵合應力過大同樣會影響鍵合點的機械性能。應力大不僅會造成鍵合點根部損傷，引起鍵合點根部斷裂失效，而且還會損傷鍵合點下的芯片材料，甚至出現裂縫。

    

3. 金屬間化合物使Au-Al系統失效

   1.Au-Al 系統中互擴散及金屬間化合物的形成

   Au-Al系統中互擴散及金屬間化合物的形成過程如下:

   (1)在鍵合的早期階段,Au-Al之間形成一很薄的擴散層,其成分為AuA12(紫斑)進一步受熱導致 Au- Al擴散繼續,隨著Au 不斷向 Al薄膜中擴散,純Al層消失。

   (2)與此同時,在Au絲球一側形成Au5A12化合物層;

   (3)擴散層厚度不會無限增加,這是因為A1的來源有限而且二者之間互擴散速度存在差別。定義D為擴散速度，Du→A1>DA1Au。假設初始A1薄膜厚度為1μm，總的擴散層厚度約為4~5um。進一步受熱則Au向擴散層中擴散并在Au絲球一側形成Au4A1,并向半導體芯片一側生長;

   (4)進一步受熱則Au 向擴散層中的擴散繼續,并最終使擴散層成分僅為Au5A12和Au4A1 。同時由于kirkenda11 效應,擴散層周圍將有空洞產生;

   (5)如果繼續受熱,無空洞位置的Au的擴散進一步加強,導致在中央部位形成 Au4A1層:

   (6)對于塑封IC,由于樹脂材料中的阻燃劑含溴化物,它將成為Au4A1層中A1 氧化的催化劑。澳化物穿過空洞進入鍵合點并氧化Au4A1層中的A1，從而在Au 球中央和化合物層之間的界面處形成一高電阻層,這將導致一種斷開失效。

   2.雜質對Au-A1系統的影響

   在引線開發的最初階段，其主要目的是為了增強機械強度例如引線結構和引線長度的控制，因此沒有太多考慮金屬間的斷裂問題。但是隨著焊盤間距的不斷減小和控制窗口的不斷變窄，引線鍵合技術的發展開始受到金屬間相問題的束縛。迄今為止，引線雜效應還沒有得到深入的研究。通過添加摻雜雜質和減緩金屬間相的擴散速度被認為是減少金屬間失效的手段。實際上，摻雜濃度為100ppm時摻雜雜質并不能有效地阻止金屬間相的生長。為此，一些常用引線中摻雜雜質的含量被提高到1%，此時摻雜雜質能夠阻止Au和A1的擴散。但是其效果沒有我們預期的那么好,而且還會降低引線的電導率。因此，我們需要能夠更加有效地解決這些問題的新方法，而且不能影響電導率性能。

   3.改善方法

   金屬間失效的主要原因有很多，因此很難通過控制一個因素將其降低到最小程度。我們能做的是選擇最佳EMC以減小封裝應力、選擇最佳毛細管劈刀類型以形成更致密的金屬間相，以及優化工藝參數以盡量減小不規則生長程度和提高初始金屬間相覆蓋率。研究結果顯示有效的影響因素是引線類型。毛細管劈刀類型也會影響金屬間相的形成。但是，當金屬間相覆蓋率大于70%時，金屬間相覆蓋率不再是主要因素。當我們將焊盤間距為 70um 的毛細管劈刀和引線類型用于 40um 時,我們將遇到 HTS 和溫度循環失效問題但是，通過選擇最佳毛細管劈刀類型、引線類型和ENC，我們可以在可靠性性能上取得很好的改善效果。

    

4. 熱循環使引線疲勞而失效

   1.熱循環峰值溫度對金相組織的影響熱循環不同峰值溫度條件下的金相組織如圖1所示。由圖1可看出，當熱循環峰值溫度為1350℃時，冷卻后轉變成粗大的低碳馬氏體十少量的側板條貝氏體組織。當熱循環峰值溫度為 950℃時，冷卻后組織明顯細化。當熱循環峰值溫度為750℃時，對應于熱影響區的部分淬火區，因高溫停留時間短，奧氏體成分均勻化很不充分，使該區組織為鐵素體+粒狀貝氏體組織。峰值溫度為600℃時，未超過調質處理時的高溫回火溫度，組織以回火索氏體為主。

   2.熱循環峰值溫度對沖擊功的影響經不同峰值溫度熱循環作用下，隨著熱循環峰值溫度的提高，沖擊功下降。當熱循環峰值溫度超過 1100℃后，沖擊功已降低到較低水平。由此可以看出，隨著熱循環峰值溫度的增加，品粒長大傾向增大，當熱循環峰值溫度為1350℃時，奧氏體品粒嚴重長大，致使該區沖擊功低。

   3.引線疲勞

   在Au納米引線的熱疲勞測試中，將正弦交變電壓(Vpp=10V)輸入引線，從而在引線中產生交變熱應力。實驗中交變電壓信號的頻率為50Hz-100Hz。如設由于交變電信號在引線中產生的溫度變化為T,則引線中產生的熱應變為ε=(aAu-aSi)AT,其中(aAu-aSi)為 Au 和 Si 的熱膨脹系數之

   (aAu=1.42x10-5/oC; aSi =3x10-6/oC)。

   這一應變將導致Au引線經歷壓一壓疲勞循環。在實驗中，記錄每一試件的疲勞失效壽命(指引線開路時的疲勞循環次數)，并同時通過SEM觀察引線表面的形貌變化。表給出了長度為20um，三種不同寬度Au引線在相同交變電壓信號(Vpp=10V)，不同電壓頻率作用下的疲勞失效結果。對于同樣的輸入電壓隨著引線線寬的減小，其失效循環次數明顯減少。產生這一結果有兩個原因，其一是由于引線寬度的減少，導致其橫截面積相應地減少，這樣在相同的電壓作用下，較窄的引線中將形成較大的電流，而隨著電流的增加，將在導線中引起較高的溫度及較大的熱應力，從而加速了引線的疲勞失效;其二是由于本文的納米引線厚度僅35nm，寬度從500nm到150nm，引線材料中品粒在厚度方向將小于35nm，在寬度方向小于100nm。和以往研究者所利用的微米到亞微米晶粒相比，細化后的品粒能夠擬制位錯的運動，因而導致引線失效的原因可能是由局部界面損傷引起引線在寬度方向的破壞所控制。因此較寬和較薄的引線將具有更長的疲勞壽命。結合中引線失效時的顯微圖片可以看到，在納米引線的表面并沒有發現類似于體材料疲勞時由于往復的位錯運動導致的滑移在薄膜表面形成平行的起皺圖案(體材料在機械疲勞載荷作用下的擠出和擠入機制，在這些起皺位置由于引線橫截面積的突然減少將會導致局部電流過載引起焦耳熱而導致引線熔斷失效)。顯然，較大尺寸的引線(含有較大的晶粒)破壞過程由位錯作用控制。而在本文的實驗中由于引線細而薄，使得引線結構中晶粒尺度減小，其疲勞行為受擴散機制以及界面特性控制，而不是位錯滑移機制控制。即損傷可能在膜基界面形核(由于納米晶粒的高強度很難在納米品薄膜上形成裂紋，且金薄膜和Si02界面為弱結合界面)，一旦局部界面脫粘，由電流誘導的邊界或界面擴散將進一步加速界面脫粘，最終將在壓-壓疲勞驅動下形成局部跨線寬損傷區域，導致焦耳熱熔斷引線形成開路失效。另外從引線失效顯微圖看到，三個線寬的引線疲勞損傷失效機制一致。在焦耳熱導致的高溫區品界消失成流動狀態。由于失效過程為瞬態行為，失效區域由于高溫熔融，實驗還無法觀察損傷前該區域的形貌特性。

    

5. 鍵合應力過大造成的失效

   鍵合應力過小會造成鍵合不牢，鍵合應力過大會影響鍵合點的機械性能。應力大不僅會造成鍵合點根部損傷，引起鍵合點根部斷裂失效，而且還會損傷鍵合點下的芯片材料，甚至出現裂縫等情況。這種損傷有時是肉眼可見的凹痕，更多是不可見的材料結構損傷，這種損傷將降低器件性能并引發電損傷。其產生原因如下:

   (1)聲波能量過高導致Si晶格層錯;

   (2)楔鍵合時鍵合力過高或過低;

   (3)球鍵合時焊球太小致使堅硬的鍵合工具接觸到了焊盤金屬化層:

   (4)焊盤厚度太薄;

   (5)AI絲超聲波鍵合時金屬絲太硬可能導致Si片出坑。